UNICON-sb-I/O-3.24x управляет всеми контурами и мониторит все параметры установки газофазной (МОС-гидридной) эпитаксии, и ориентирована на работе в составе эпитаксиальных систем фотовольтаики и нанотехнологий. Система UNICON-sb-I/O-3.24 позволяет формировать высококачественные гетероструктуры модифицированным методом МОС-гидридной эпитаксии, принцип которого основан на химическом синтезе из газовой фазы металлорганических соединений (триметил галлия, алюминия, индия) и азота (аммиак) пленочных структур в потоке водорода. Процесс протекает при контролируемых температурах в диапазине 350°C-1300°C.
Основные характеристики:
- ядро: контроллер с аппаратной ПЛИС;
- аппаратные адаптивные 2-x контурные 10-ти канальные независимые ПИД-регуляторы;
- каналы AI/AO и DI/DO изолированы и развязаны;
- предельная точность поддержания температуры: + 0,01 OC;
- интерфейсы: RS-232, RS-485, 10/100 BASE-T Ethernet;
- поддержка ModBus (по согласованию);
- тип термопар: J, K, T, E, R, S, B, N;
- функциональное программное обеспечение;
- расширяемая аппаратная архитектура;
- драйвера для 99% существующих сенсоров и актюаторов любых вендоров ...
